| 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 胡志华,廖显伯,刁宏伟,孔光临,曾湘波,徐艳月.氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响[J].中国科学(E辑),2004,34(5):525-532. |
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| 作者姓名： | 胡志华 廖显伯 刁宏伟 孔光临 曾湘波 徐艳月 |
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| 作者单位： | 1. 云南师范大学能源与环境科学学院,昆明,650092;中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所国家表面物理重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究规划项目(973)资助(批准号:G2000028201) |
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| 摘 要： | 用PECVD方法, 以固定的甲烷硅烷气体流量比(CH4]/SiH4] = 1.2)和不同的氢稀释比(RH = H2]/CH4+SiH4] = 12, 22, 33, 102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜. 运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响. 实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV). 高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰, 峰位位于2.1 eV. 结合Raman谱分析, 认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应, 纳米硅被Si-C和Si-O限制.
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| 关 键 词： | 氢稀释 纳米硅 非晶硅碳 |
| 收稿时间： | 2003-11-04 |
| 修稿时间： | 2004-02-06 |
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