|
|||||
|
|
| Se掺杂Bi_2Te_3电子结构第一性原理研究 | |
| 作者单位： | ;1.萍乡学院机械电子工程学院 |
| 摘 要： | 碲化铋(Bi_2Te_3)是一种常见的热电材料。本文研究了硒(Se)掺杂对Bi_2Te_3电子结构的影响。本文从Bi_2Te_3的晶格结构出发,利用第一性原理对Se掺杂Bi_2Te_3所得的Bi_2Te_(3-x)Se_x(x=0, 1, 2, 3)四种材料进行晶格结构优化,并计算它们的能带和态密度。我们发现自旋轨道耦合作用对Bi_2Te_3电子结构的影响非常大,另外还发现Se掺杂会使Bi_2Te_3能带发生劈裂,使得费米能附近态密度增加。 |
| 关 键 词： | 第一性原理 热电材料 碲化铋化合物 硒参杂(Se) |
Study on the First-principles Electronic Structure of Se-doped Bi_2Te_3 |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |