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漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究
引用本文:刘宇安. 漏雪崩热载流子应力MOSFET的1/f噪声产生机理研究[J]. 井冈山学院学报, 2010, 31(3). DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.03.006
作者姓名:刘宇安
作者单位:井冈山大学数理学院,江西,吉安,343009
基金项目:江西省自然科学基金,江西省教育厅科技计划项目,井冈山大学科研课题 
摘    要:研究了DAHC(漏雪崩热载流子)应力下MOSFEF的1/f噪声特性.从各种热载流子与缺陷相互作用的角度,进一步研究了DAHC应力MOSFEF的1/f噪声产生机理,合理解释其作为器件最大损伤应力.基于噪声机理明确了DAHC应力下MOSFEF的1/f噪声模型中各系数的物理意义,给出一个较明晰的各种热载流子与缺陷相互作用产生噪声的物理图像.进行了MOSFEF的DAHC应力实验,得到了其电参数和噪声参数.实验结果和本文模型符合良好.

关 键 词:漏雪崩热载流子  1/f噪声

1/f NOISE CHARACTERISTIC OF DRAIN AVALANCHE HOT CARRIER STRESS IN MOSFET
LIU Yu-an. 1/f NOISE CHARACTERISTIC OF DRAIN AVALANCHE HOT CARRIER STRESS IN MOSFET[J]. Journal of Jinggangshan University, 2010, 31(3). DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.03.006
Authors:LIU Yu-an
Abstract:
Keywords:MOSFEF
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