| Ta2O5对掺杂的TiO2压敏陶瓷电性能的影响 |
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| 引用本文： | 孟凡明,孙兆奇.Ta2O5对掺杂的TiO2压敏陶瓷电性能的影响[J].合肥工业大学学报(自然科学版),2005,28(1):53-56. |
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| 作者姓名： | 孟凡明 孙兆奇 |
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| 作者单位： | 安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039;安徽大学,信息材料与器件重点实验室,安徽,合肥,230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59972001);安徽省自然科学基金资助项目(01044901)和安徽省教育厅科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度()b的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响.结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析.综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜.
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| 关 键 词： | TiO2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 |
| 文章编号： | 1003-5060(2005)01-0053-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月22日 |
Influence of Ta2O5 on electrical properties of doped TiO2 varistor ceramics |
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