基于输入向量控制和传输门插入的电路NBTI老化缓解

针对现有方案通过输入向量控制(input vector control,IVC)结合门替换(gate replacement,GR)技术缓解负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)引起的电路老化,存在GR应用可能破坏IVC抗老化效果的问题,文章提出了一种基于IVC和传输门(transmission gate,TG)插入的抗NBTI老化方案。将目标电路切分为多个逻辑锥子电路,然后对各子电路进行动态回溯得到其最优输入控制向量,在恢复各子电路的连接时,通过插入TG消除连线位置出现的逻辑冲突,最后得到由子电路合并后的目标电路的最优输入控制向量。采用相同条件的实验结果表明,与现有方案相比,本文方案提高了电路平均时延退化改善率超过1倍,且面积开销和电路固有时延也明显降低,更好地缓解了电路老化效应。