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| 缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究 | |
| 引用本文： | 文于华,贺致远,田芃,金佳鸿,张梅,汤莉莉.缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究[J].湖北大学学报(自然科学版),2018(5). |
| 作者姓名： | 文于华 贺致远 田芃 金佳鸿 张梅 汤莉莉 |
| 作者单位： | 湖南理工学院先进光学研究所;湖南理工学院物理与电子学院;工业和信息化部电子第五研究所;湖北大学知行学院 |
| 摘 要： | 采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |