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| 用薄型金-硅面垒探测器测定硅的表面复合速度 | |
| 引用本文： | 唐璞山 ,邵丙铣 ,赵富贤.用薄型金-硅面垒探测器测定硅的表面复合速度[J].复旦学报(自然科学版),1964(1). |
| 作者姓名： | 唐璞山 邵丙铣 赵富贤 |
| 摘 要： | §1.引言表面复合速度是研究半导体非平衡载流子性质的一个重要参量.借助于表面复合速度的测量可以对半导体表面的基本性质有所了解.而且表面复合速度还直接影响半导体内非平衡载流子的复合,从而影响少数载流子的有效寿命.而半导体两极管的反向饱和电流,击穿电压,三极管的电流放大系数以及噪声水平亦都与表面复合速度有关.测出经各种表面处理后的表面复合速度,并找出减小表面复合速度的途径,对改善器件的性能是很重要的工作. |
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