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| 基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响 | |
| 引用本文： | 马春兰,程珊华,宁兆元.基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响[J].苏州大学学报(医学版),2000,16(3):52-56. |
| 作者姓名： | 马春兰 程珊华 宁兆元 |
| 作者单位： | 苏州大学薄膜材料实验室,江苏苏州 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59637050) |
| 摘 要： | 用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ－ＣＶＤ）方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ），对样品进行了伏安特性测试，考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响，并结合Ｒａｍａｎ谱探索ａ－Ｃ：Ｈ膜的导电机制。 |
| 关 键 词： | 非晶碳膜 基片温度 电学特性 |
| 文章编号： | 1000-2073(2000)03-0052-05 |
| 修稿时间： | 2000-04-21 |
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