| 铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究 |
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| 引用本文： | 杨连乔,冯伟,王浪,张建华. 铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2014, 0(10) |
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| 作者姓名： | 杨连乔 冯伟 王浪 张建华 |
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| 作者单位： | 上海大学新型显示技术与应用集成教育部重点实验室,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB013100)． |
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| 摘 要： | 采用乙炔作为碳源,分析了碳源浓度、生长时间等参数对铜基石墨烯成核密度、生长速率及单层覆盖率的影响,通过热氧化法系统展示了石墨烯形核、长大、生长结束的全过程.研究发现;碳源浓度较小时成核密度较低,所得石墨烯晶粒更大,但单个多层点的面积较大,且多以双层为主;在石墨烯生长过程中,氢气既可辅助碳氢化合物分解,同时也会刻蚀部分成核点,从而促进石墨烯质量的提高;基于单层率与晶粒尺寸之间的平衡,采用乙炔与氢氩混合气(体积比为1∶9)流速比为5∶100作为生长石墨烯的气体工艺参数,获得了透过率约为97.1%,缺陷较少且以单层为主的大面积石墨烯.
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| 关 键 词： | 石墨烯 CVD生长 铜 碳源浓度 热板法 |
Study on fabrication parameter of graphene on copper by CVD |
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| Yang Lianqiao,Feng Wei,Wang Lang,Zhang Jianhua. Study on fabrication parameter of graphene on copper by CVD[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 2014, 0(10) |
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| Authors: | Yang Lianqiao Feng Wei Wang Lang Zhang Jianhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene CVD(chemical vapor deposition) growth copper ethyne concentration hot plate method |
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