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溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变
引用本文:宫峰飞,沈惠敏,姜恩永,王业宁.溅射制备NiTi薄膜的马氏体相变[J].吉林大学学报(理学版),1998(1).
作者姓名:宫峰飞  沈惠敏  姜恩永  王业宁
作者单位:天津大学物理系!天津,300072,南京大学固体微结构国家重点实验室!南京,210008,天津大学物理系!天津,300072,天津大学物理系!天津,300072
摘    要:研究溅射制备的NiTi薄膜的马氏体相变行为.电阻随温度的变化曲线以及变温X射线衍射实验表明,当温度由400℃连续下降到-180℃时,NiTi薄膜发生了B2→R→B19'以及B2→B19'相变.

关 键 词:马氏体相变  NiTi薄膜  磁控溅射

Martensite Transitions of NiTi Thin Films by Magnetron Sputtering
Gong Fengfei, Shen Huimin, Jiang Enyong, Wang Yening.Martensite Transitions of NiTi Thin Films by Magnetron Sputtering[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1998(1).
Authors:Gong Fengfei  Shen Huimin  Jiang Enyong  Wang Yening
Abstract:
Keywords:martensite transition  NiTi thin film  magnetron sputtering  
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