| 台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响 |
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| 引用本文： | 胡冬青,李思渊,王永顺.台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响[J].兰州大学学报(自然科学版),2005,41(2):92-94. |
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| 作者姓名： | 胡冬青 李思渊 王永顺 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 分析了台面刻蚀程度对埋栅型SITHI-V特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右.
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| 关 键 词： | 静电感应晶闸管 台面刻蚀 I-V特性 |
| 文章编号： | 0455-2059(2005)02-0092-03 |
The impact of mesa etching on the device characteristics of power SITH |
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| HU Dong-qing,LI Si-yuan,WANG Yong-shun.The impact of mesa etching on the device characteristics of power SITH[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),2005,41(2):92-94. |
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| Authors: | HU Dong-qing LI Si-yuan WANG Yong-shun |
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