| 一种高精度的 CMOS 电流基准 |
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| 引用本文： | 高静,姚素英,许长喜.一种高精度的 CMOS 电流基准[J].南开大学学报,2008,41(2):56-60. |
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| 作者姓名： | 高静 姚素英 许长喜 |
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| 作者单位： | [1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]南开大学微电子科学系,天津300071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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天津市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 设计了一种高精度的电流基准电路.电路采用正温度系数和负温度系数的电流并联相加,并考虑了电阻的温度系数,得到与温度无关的基准电流源.说明了核电流基准的工作原理,并给出设计公式和误差分析.电路采用0.6 μm CMOS 工艺实现,仿真结果表明,在3 V的电压下,电路的耗电电流为105 μA,在温度-40～120℃范围内,输出电流为5 μA,温度漂移为72 ppm/℃.
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| 关 键 词： | CMOS电流基准 低温度漂移 电源抑制比 |
| 文章编号： | 0465-7942(2008)02-0056-05 |
| 修稿时间： | 2007年8月15日 |
A High Precise CMOS Current Reference |
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| Gao Jing,Yao Suying,Xu Changxi.A High Precise CMOS Current Reference[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2008,41(2):56-60. |
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| Authors: | Gao Jing Yao Suying Xu Changxi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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