| 一项值得重视的低压低功耗超高速集成电路技术--TFSOI技术 |
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| 引用本文： | 沈文正.一项值得重视的低压低功耗超高速集成电路技术--TFSOI技术[J].世界科技研究与发展,1999,21(4):39-46. |
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| 作者姓名： | 沈文正 |
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| 作者单位： | 西安微电子技术研究所,西安,710054 |
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| 摘 要： | 本文详细地分析了薄膜SOI器件的特性并指出该器件的许多特性是其固有的。这些特性使得SOI技术对于高可靠、低压、低功耗、高速系统具有极大的吸引力。同时,该技术也适用于千兆位DRAM、片上系统、以及抗辐射加固电路、微电子机械系统、模拟／混合信号电路、智能功率集成电路、便携式通讯系统、高温电子学和量子器件等。因此,SOI技术可能成为21世纪最具竞争力的半导体集成电路技术。
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| 关 键 词： | 薄膜SOI器件 SOIMOSFET TFSOI技术 特性分析 半导体集成电路技术 |
TFSOI Technology A Deservedly Important Technology for Low-voltage, Low-power, High Speed Integration |
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| SHEN Wenzheng.TFSOI Technology A Deservedly Important Technology for Low-voltage, Low-power, High Speed Integration[J].World Sci-tech R & D,1999,21(4):39-46. |
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| Authors: | SHEN Wenzheng |
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