首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱
作者姓名:刘才  黎兵  王钊  郑旭  冯良桓  蔡亚平  郑家贵  蔡伟  张静全  李卫  雷智  武莉莉
作者单位:四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院
基金项目:国家高技术研究发展计划(863)(2003AA513010);国家自然科学基金(60506004)
摘    要:深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV+0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.

关 键 词:深能级中心  深能级瞬态谱  CdS /CdTe太阳电池  背接触层
收稿时间:2008-12-06
点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息
点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号