掺杂石墨背接触层CdS/CdTe太阳电池的深能级瞬态谱 |
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作者姓名: | 刘才 黎兵 王钊 郑旭 冯良桓 蔡亚平 郑家贵 蔡伟 张静全 李卫 雷智 武莉莉 |
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作者单位: | 四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院;四川大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家高技术研究发展计划(863)(2003AA513010);国家自然科学基金(60506004) |
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摘 要: | 深能级中心能显著影响太阳电池性能.制作了以掺杂石墨为背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池,用深能级瞬态谱研究了它们的深能级中心.共发现了6个深中心,确定了其中两个深中心的能级位置,分别是位于EC-0.223 eV的 E3和位于EV+0.077 eV的H3.它们主要来源于Cd与Te的空位和间隙离子、O和Cl离子以及它们相互作用形成的复合体等.
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关 键 词: | 深能级中心 深能级瞬态谱 CdS /CdTe太阳电池 背接触层 |
收稿时间: | 2008-12-06 |
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