| 磁控溅射法制备的不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜磁性研究 |
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| 引用本文： | 王颖蕾,陈希明,李伟,吴晓国.磁控溅射法制备的不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜磁性研究[J].天津理工大学学报,2010,26(3):11-12. |
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| 作者姓名： | 王颖蕾 陈希明 李伟 吴晓国 |
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| 作者单位： | 天津理工大学,电子信息工程学院,天津,300384 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金重点项目，天津市教委科技发展重点基金，天津市薄膜电子与通信器件重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法在硅片上制备Cr掺杂ZnO薄膜材料,通过控制共溅时间来控制掺杂浓度.晶体结构分析表明所有样品均为ZnO纤锌矿结构,没有观测到其他杂相峰.Cr掺杂ZnO薄膜具有c轴择优取向.磁性测试结果表明,不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜具有室温铁磁性.掺杂浓度1%薄膜磁性最强,室温饱和磁化强度为0.53μB/Cr.随着掺杂浓度增大,样品磁性减弱,主要是由于掺杂浓度增大反铁磁交换作用增强.
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| 关 键 词： | 磁控溅射法 ZnO薄膜 室温铁磁性 |
Investigation of magnetic properties of Cr-doped ZnO films with different concentrations prepared by magnetron sputtering method |
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| WANG Ying-lei,CHEN Xi-ming,LI Wei,WU Xiao-guo.Investigation of magnetic properties of Cr-doped ZnO films with different concentrations prepared by magnetron sputtering method[J].Journal of Tianjin University of Technology,2010,26(3):11-12. |
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| Authors: | WANG Ying-lei CHEN Xi-ming LI Wei WU Xiao-guo |
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