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| Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响 | |
| 作者姓名： | 陈光华 张仿清 王印月 张南屏 吴锦华 宋凤琴 |
| 摘 要： | 本文主要研究了Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响。实验结果表明:在所有掺Mn的样品中,均显示出低温变程跳跃电导;随掺Mn量的增大变程跳跃电导更加明显,而且使变程跳跃电导向更低的温度方向推移。这些结果同Hauser等人在a-(As_2Te_3)_(1-x)Mn_x薄膜样品中所观测的结果几乎完全一致,文中对这种观象作了初步的讨论。 |
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