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| 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性 | |
| 引用本文： | 薛成山,吴玉新,庄惠照,田德恒,刘亦安,何建廷,艾玉杰,孙莉莉,王福学.氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性[J].科学通报,2006,51(13). |
| 作者姓名： | 薛成山 吴玉新 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 艾玉杰 孙莉莉 王福学 |
| 作者单位： | 山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,济南,250014 |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制. |
| 关 键 词： | 磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光 |
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