| 脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响 |
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| 引用本文： | 王雁利,杨海丽,吴晔康,徐 宏,王心悦,冯 策.脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响[J].科学技术与工程,2015,15(36). |
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| 作者姓名： | 王雁利 杨海丽 吴晔康 徐 宏 王心悦 冯 策 |
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| 作者单位： | 华北理工大学,华北理工大学,华北理工大学,华北理工大学,华北理工大学,华北理工大学 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学(E2014209275)资助 |
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| 摘 要： | 采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500 Hz增大到1 000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密；超过1 000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi2渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。
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| 关 键 词： | 铌 熔盐脉冲电沉积 频率 渗硅 |
| 收稿时间： | 2015/8/29 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2015/12/10 0:00:00 |
Effect of Pulse Frequency on Siliconizing on Niobiumby Molten Salt Pulse Electrodeposition |
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| Institution: | North China University of Science and Technology,North China University of Science and Technology,North China University of Science and Technology,North China University of Science and Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | niobium molten salt pulse electrodeposition frequency siliconizing |
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