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| 基于忆阻器的神经突触仿生器件研究 | |
| 作者姓名： | 刘益春 徐海阳 王中强 张磊 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理学院先进光电子功能材料研究中心,紫外光发射材料与技术教育部重点实验室,长春130024 |
| 摘 要： | 正忆阻器因其与神经突触类似的独特非线性电学性质,以及结构简单、集成度高等优势,在新型神经突触仿生电子器件领域引起广泛关注。忆阻器是除电阻器、电容器、电感器之外的第四种基本无源电子器件。蔡少棠(Leon Ong Chua)最早于1970年代在研究电荷、电流、电压和磁通量之间关系时推断出这种元件的存在,并指出它代表着电荷和磁通量之间的关联。忆阻器具有电阻的量纲,但有着不同于普通电阻的非线性电学性质。忆阻器的阻值会随着流经它的电荷量而发生改变,并且能够在断开电流时保 |
| 关 键 词： | 忆阻器 神经突触 学习功能 突触模拟 突触可塑性 |
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