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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱
作者姓名:
钱人元
周淑琴
金祥凤
王增起
姜守仁
作者单位:
中国科学院化学研究所
摘 要:
本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察
α
-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度
E
t
=0.58eV和热释放频率因子
v
=1.7×10
8
s
-1
.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.
收稿时间:
1984-02-17
修稿时间:
1985-05-03
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