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α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱
引用本文:钱人元,周淑琴,金祥凤,王增起,姜守仁.α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱[J].应用科学学报,1987,5(1):37-40.
作者姓名:钱人元  周淑琴  金祥凤  王增起  姜守仁
作者单位:中国科学院化学研究所
摘    要:本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度Et=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×108s-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.

收稿时间:1984-02-17
修稿时间:1985-05-03
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