α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱 |
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引用本文: | 钱人元,周淑琴,金祥凤,王增起,姜守仁.α-酞菁铜蒸发膜中陷断的研究——等温衰减电流谱[J].应用科学学报,1987,5(1):37-40. |
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作者姓名: | 钱人元 周淑琴 金祥凤 王增起 姜守仁 |
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作者单位: | 中国科学院化学研究所 |
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摘 要: | 本文用光注入的"等温衰减电流(IDC)法"观察α-CuPc蒸发膜的陷阱能态分布,得到了该试样在不同温度和不同场强下的等温衰减电流曲线,而不同温度下曲线最大值的温度位移是一条直线,从而得到陷阱深度Et=0.58eV和热释放频率因子v=1.7×108s-1.并用Poole-Frenkel理论解释了等温衰减电流曲线的场强依赖关系.
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收稿时间: | 1984-02-17 |
修稿时间: | 1985-05-03 |
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