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InVO4电子结构和光学性质的第一性原理研究
引用本文:孙家法,王玮. InVO4电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 淮北煤炭师范学院学报(自然科学版), 2011, 32(4)
作者姓名:孙家法  王玮
作者单位:1. 淮北师范大学信息学院,安徽淮北,235000
2. 淮北师范大学物理与电子信息学院,安徽淮北,235000
基金项目:国家自然基金青年基金资助项目,淮北师范大学青年科研基金资助项目
摘    要:基于密度泛涵理论的全势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法计算光催化材料InVO4的电子结构和光学常数.电子结构计算表明:InVO4价带顶由O-2p、V-3d和In-3d轨道电子杂化构成,导带底则是V-3d和In-5s空轨道组成的杂化带.光学常数计算表明:光吸收强度曲线在4.2 eV处的突出峰源于价带顶的O-2p电子向导带底V-dz2和V-dxy轨道的跃迁,4.6~7.9 eV范围内的吸收峰则对应于价带顶的O-2p电子向导带底杂化带的跃迁;而高能区的光吸收是材料深能级电子跃迁的贡献.折射系数计算结果显示InVO4为各向异性材料;介电常数虚部和能量损失曲线则表明声子对光催化有重要影响.

关 键 词:第一性原理  电子能带结构  光学常数

First-Principles Study on Electronic Structure and Optical Property of InVO4
SUN Jia-fa , WANG Wei. First-Principles Study on Electronic Structure and Optical Property of InVO4[J]. Journal of Huaibei Coal Industry Teachers College(Natural Science edition), 2011, 32(4)
Authors:SUN Jia-fa    WANG Wei
Abstract:
Keywords:
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