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FPGA数据总线宽度不相等的双口RAM的设计
引用本文:孙培燕,李克俭,蔡启仲,黄仕林,李刚.FPGA数据总线宽度不相等的双口RAM的设计[J].科学技术与工程,2014(35).
作者姓名:孙培燕  李克俭  蔡启仲  黄仕林  李刚
作者单位:广西科技大学电气与信息工程学院;
基金项目:广西科学基金(桂科自2011GXNSFA018153)、(桂科自0991067);广西教育厅科研项目(2013LX092)资助
摘    要:目前双口RAM两个端口的数据总线宽度相等,而实际应用中,存在着双口RAM两个端口连接的系统的数据总线宽度不相等的问题,为此提出两个端口数据总线宽度不同的双口RAM的FPGA设计方法,双口RAM内部存储器的个数根据2个数据总线宽度比进行设计,在数据总线宽度小的端口设计逻辑控制电路,满足该端口分时进行的读写操作;根据这种双口RAM的读写操作特点,两个端口同时对某一存储单元进行读写操作时,设计存储单元数据总线宽度小的端口具有读写优先权的仲裁机制。对应用Verilog HDL设计的这种双口RAM进行了综合仿真测试,结果表明该双口RAM读写操作正确,具有可行性和实用性。

关 键 词:双口RAM  数据总线宽度  综合仿真测试  仲裁
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