| AP-MOCVDGaN材料生长特性 |
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| 引用本文： | 赵佰军,缪国庆,元金山,朱景义,杨树人. AP-MOCVDGaN材料生长特性[J]. 吉林大学学报(理学版), 1997, 0(2) |
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| 作者姓名： | 赵佰军 缪国庆 元金山 朱景义 杨树人 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系!长春，130023，中国科学院长着物理研究所，中国科学院长着物理研究所，中国科学院长着物理研究所，吉林大学电子工程系!长春，130023 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室开放课题，863计划新材料领域基金 |
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| 摘 要： | 研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．
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| 关 键 词： | GaN AP－MOCVD 过渡层 |
The Growth Characteristic of GaN Films by AP-MOCVD |
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| Zhao Baijun, Miao Quoqing, Yuan Jinshan, Zhu Jingyi, Yang Shuren. The Growth Characteristic of GaN Films by AP-MOCVD[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1997, 0(2) |
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| Authors: | Zhao Baijun Miao Quoqing Yuan Jinshan Zhu Jingyi Yang Shuren |
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| Abstract: | This paper presents the comparative study of the characteristic of GaN epilayer by MOCVD using GaN buffer layer. In order to improve the quality of the grown materlal, some parameters inclu-ing buffer layer temperature, growth time, the pre-nitrided time of sapphire substrate are taken into account, the films grown on pre-nitrided sapphire substrate exhibit improved crystal quality, in our experiments, the X-ray rocking curve line widths of 6' were obtained for our pre-nitrided films. |
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| Keywords: | GaN AP-MOCVD buffer layer |
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