富镓稀溶液中片状GaAs单晶的生长过程

本文采用慢冷却方法,对4％GaAs的富Ga稀溶液(结晶温度为785±2℃),进行片状单晶生长的试验并讨论了单晶的生长过程,实验指出,闪锌矿结构类型的GaAs,在自由生长条件下,低指数晶面的线性生长速度为{110}>{100}>{111},其晶片总为{111}面和{100}面所包围。最大晶面为(111)面和(TTT)面,晶片外观只有两种,即生长速度较快时,(111)面呈正六边形,生长速度快时,获得菱形的(111)面。多数晶片位错密度小于10~2/cm~2,片的大小为3×3×0.8mm~3左右。