| Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究 |
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| 引用本文： | 廖熙,杨治美,杨翰飞,龚敏,孙小松.Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究[J].四川大学学报(自然科学版),2010,47(6):1331-1334. |
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| 作者姓名： | 廖熙 杨治美 杨翰飞 龚敏 孙小松 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064
2. 四川大学材料科学与技术学院,成都,610064 |
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| 摘 要： | 采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH_4和H_2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H_2作为稀释与运载气体,CH_4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×10~3cm~2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜.
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| 关 键 词： | 立方碳化硅 反向外延 表面碳化 霍尔迁移率 |
Research on reverse-epitaxial growth of 3C-SiC film on Si by LPCVD |
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| LIAO Xi,YANG Zhi-Mei,YANG Han-Fei,GONG Min,SUN Xiao-Song.Research on reverse-epitaxial growth of 3C-SiC film on Si by LPCVD[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2010,47(6):1331-1334. |
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| Authors: | LIAO Xi YANG Zhi-Mei YANG Han-Fei GONG Min SUN Xiao-Song |
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