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砷化镓晶体线切割工艺与晶片质量关系研究
引用本文:孙强,纪秀峰.砷化镓晶体线切割工艺与晶片质量关系研究[J].天津科技,2010,37(2):68-69.
作者姓名:孙强  纪秀峰
作者单位:中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220
摘    要:损伤层深度和翘曲度是鉴别晶片加工质量好坏的2个重要指标。用x射线回摆曲线法和非接触式电容法分别测量了砷化镓(GaAs)材料在线切割中的损伤层深度和翘曲度,分析了引入损伤和翘曲的主要因素。随着切割速度的降低,损伤层厚度略有减小。随着钢丝张力的增加和切割速度的降低,翘曲度明显改善。

关 键 词:砷化镓  线切割  损伤层深度  翘曲度
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