砷化镓晶体线切割工艺与晶片质量关系研究 |
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引用本文: | 孙强,纪秀峰.砷化镓晶体线切割工艺与晶片质量关系研究[J].天津科技,2010,37(2):68-69. |
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作者姓名: | 孙强 纪秀峰 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220 |
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摘 要: | 损伤层深度和翘曲度是鉴别晶片加工质量好坏的2个重要指标。用x射线回摆曲线法和非接触式电容法分别测量了砷化镓(GaAs)材料在线切割中的损伤层深度和翘曲度,分析了引入损伤和翘曲的主要因素。随着切割速度的降低,损伤层厚度略有减小。随着钢丝张力的增加和切割速度的降低,翘曲度明显改善。
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关 键 词: | 砷化镓 线切割 损伤层深度 翘曲度 |
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