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| 3D芯片:英特尔的绝地反击 | |
| 引用本文： | 崔磊.3D芯片:英特尔的绝地反击[J].上海信息化,2011(6):58-59. |
| 作者姓名： | 崔磊 |
| 摘 要： | 2011年初,微软与诺基亚的"闪婚",使"原配"英特尔处境尴尬。正当移动电子产业界对"英特尔是否会继续坚持MeeGo系统"提出各种猜测之际,英特尔高调推出了已研发近十年的3D晶体管架构项目最新成果——3D Tri-Gate晶体管,并宣布将在年底前完成大规模投产的准备工作。IT巨头终于开始了在新移动电子领域的绝地反击,但为什么是3D晶体管架构?这项发明与传统晶体管结构有何区别?它对未来的移动电子产业有何影响?又是否能够挽救英特尔的芯片帝国呢? |
| 关 键 词： | 英特尔 芯片 移动电子 移动终端 电子产业 晶体管结构 计算能力 诺基亚 硬件 移动设备 |
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