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| 一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN SBD仿真 | |
| 引用本文： | 李志远,马亚超.一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN SBD仿真[J].哈尔滨商业大学学报(自然科学版),2018(4). |
| 作者姓名： | 李志远 马亚超 |
| 作者单位： | 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 |
| 摘 要： | 研究了一种带有浮空阶梯场板的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管结构—SFFP-SBD(Stepped Insulator Floating Field Plate).该结构是结合浮空场板,阶梯场板的优点,在反向状态下,浮空阶梯场板和横向场板之间的静电荷影响沟道内的电场,在沟道内形成电场峰值,并且浮空阶梯场的钝化层较厚,场板向阴极方向延伸,浮空阶梯场板的调制沟道作用会更加明显,提升反向耐压效果明显.使用Silvaco TCAD软件对器件的浮空阶梯场板的钝化层厚度和水平位置进行优化,仿真结果显示,钝化层厚度为500 nm,S为0μm时,击穿电压达到最大为-900 V.因此,该器件可以应用在高电压的电路中. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |