| 半导体器件的温度测量 |
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| 引用本文： | 马志凌,郑学仁.半导体器件的温度测量[J].科学技术与工程,2007,7(8):1695-17001706. |
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| 作者姓名： | 马志凌 郑学仁 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理科学与技术学院,广州,510640 |
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| 摘 要： | 测量正在工作的半导体器件温度有很多种方法。这些方法大概可以分为三类：电学方法、光学方法和物理接触方法。介绍了各种方法的物理基础，并且对每种方法的优势、劣势以及空间解析度及需要特别注意的问题等进行了讨论。
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| 关 键 词： | 电学测量方法 光学测量法 半导体 温度 |
| 文章编号： | 1671-1819(2007)08-1695-07 |
| 收稿时间： | 2006-11-01 |
| 修稿时间： | 2006年11月1日 |
Semiconductor Device's Temperature Measurement |
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| MA Zhi-ling,ZHENG Xue-ren.Semiconductor Device's Temperature Measurement[J].Science Technology and Engineering,2007,7(8):1695-17001706. |
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| Authors: | MA Zhi-ling ZHENG Xue-ren |
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| Abstract: | There are different methods for mearuring the temperature of the operating semiconductor device.They can broadly divided into three categories:optical,electrical and physically contacting.This proposal discussed the physical fundamentals of those categories.The advantages,disadvantages,spatial resolution and some special issue need to be deal with are also introduced. |
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| Keywords: | electrical methods optical methods semiconductor temperature |
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