| 石墨烯纳米墙/硅纳米线阵列太阳能电池的制备及其性能 |
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| 引用本文： | 张铃,黄菲菲,程其进.石墨烯纳米墙/硅纳米线阵列太阳能电池的制备及其性能[J].厦门大学学报(自然科学版),2022(1):58-65. |
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| 作者姓名： | 张铃 黄菲菲 程其进 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学能源学院;2. 厦门大学深圳研究院;3. 厦门大学电子科学与技术学院 |
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| 摘 要： | 硅纳米线阵列(SiNWA)因其优异的陷光性在石墨烯/硅异质结太阳能电池研究中引起了广泛关注.然而平面结构的石墨烯难以与SiNWA形成包覆结构,严重影响了器件的光伏性能.该文采用等离子体增强化学气相沉积法直接在SiNWA上生长石墨烯纳米墙(GNWs),与SiNWA形成核壳结构,增加了器件的有效结区面积并抑制了硅纳米线表面的载流子复合;研究了生长时间对GNWs的晶体质量、光学和电学性能、形貌的影响.结果表明:所制备的GNWs可形成良好的导电网络并表现出p型掺杂;随着生长时间的延长,GNWs的透光性下降,导电性增强,对SiNWA的包覆性变好;当GNWs生长时间为120 s时,制备的GNWs/SiNWA太阳能电池获得了4.11%的最佳光电转换效率.该研究为制备低成本、高效率的石墨烯/硅太阳能电池提供了一条工艺简单而有效的途径.
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积法 石墨烯纳米墙 硅纳米线阵列 肖特基结 太阳能电池 |
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