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电子储存环模拟弯转磁铁的研制
引用本文:张武,张国栋,夏中林,金正芳,曾翔.电子储存环模拟弯转磁铁的研制[J].中国科学技术大学学报,1986(3).
作者姓名:张武  张国栋  夏中林  金正芳  曾翔
作者单位:中国科学技术大学国家同步辐射实验室 (张武,张国栋,夏中林,金正芳),中国科学技术大学国家同步辐射实验室(曾翔)
摘    要:弯转磁铁是电子储存环中重要部件之一.磁铁设计的核心问题是磁路设计和磁场设计.由于磁性材料的非线性特性、漏磁系数及边缘场效应无法准确计算,使磁路设计变得十分困难.而场形受磁铁材料,结构及极头形状等因素影响使其分布非常复杂,无法用简单的数学解析式精确计算.大容量的计算机虽能大大缩短计算时间,但一般设计精度也很难超过0.1%.一些参数必须从模型实验中得到.所

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