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| 0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究 | |
| 作者姓名： | 邱恒功 李洛宇 裴国旭 杜明 |
| 作者单位： | 深圳市国微电子有限公司,深圳市国微电子有限公司,深圳市国微电子有限公司,深圳市国微电子有限公司 |
| 摘 要： | 为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。 |
| 关 键 词： | SOI NMOS 电荷积累 单粒子翻转 |
| 收稿时间： | 2013-04-08 |
| 修稿时间： | 2013-04-26 |
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