| 高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析 |
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| 引用本文： | 孟坚,陈军宁,柯导明,孙伟锋,时龙兴,王钦. 高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析[J]. 中国科学技术大学学报, 2006, 36(2): 158-162 |
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| 作者姓名： | 孟坚 陈军宁 柯导明 孙伟锋 时龙兴 王钦 |
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| 作者单位： | 1. 安徽大学电子科学与技术学院,安徽合肥,230039
2. 东南大学国家ASIC工程中心,江苏南京,210096 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 分析了高压LDMOS在-27℃至300℃温度范围内的温度特性,并给出了阈值电压温度系数的计算公式.根据计算结果,可以得到以下结论:高压LDMOS的阈值电压温度系数在相当宽的温区内是一常数;可用温度的线性表达式来计算阈值电压温度系数;薄栅氧化层和高沟道掺杂浓度可减小高压功率LDMOS的阈值电压温度系数.
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| 关 键 词： | 高温 高压功率LDMOS 阈值电压温度系数 |
| 文章编号： | 0253-2778(2006)02-0158-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-27 |
| 修稿时间： | 2005-06-21 |
An analysis of threshold voltage temperature coefficient for high voltage power LDMOS |
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| MENG Jian,CHEN Jun-ning,KE Dao-ming,SUN Wei-feng,SHI Long-xing,WANG Qin. An analysis of threshold voltage temperature coefficient for high voltage power LDMOS[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 2006, 36(2): 158-162 |
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| Authors: | MENG Jian CHEN Jun-ning KE Dao-ming SUN Wei-feng SHI Long-xing WANG Qin |
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| Affiliation: | 1. Electronic Science and Technology School, Anhui University, Hefei 230039, China ; 2. National ASIC System Engineering Research Center, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high temperature high voltage power LDMOS threshold voltage's temperature coefficients |
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