Si3N4/SiO2栅pH—ISFET传感器的设计与模型 |
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引用本文: | 丁辛芳.Si3N4/SiO2栅pH—ISFET传感器的设计与模型[J].东南大学学报(自然科学版),1997,27(6):103-108. |
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作者姓名: | 丁辛芳 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心 |
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摘 要: | 提出了一种含微参比电极和择优差补偿单元的背面引线PH-ISFET传感器的新结构,实现了敏感元和信号处理电路的完全隔离;基于SDB/SDI材料和硅微机械加工技术,研制成PH-ISFET传感器;讨论了含两种类型表面基的Si3N4/SiO2绝缘栅中硅醇基与胺基所占比率对Si3N4/SiO4栅PH-ISFET的敏感性能和稳定性的影响,对进一步改善PH-ISFET的敏感性能提供了一种实际的考虑。
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关 键 词: | pH-ISFET 传感器 表面基 敏感特性 化学传感器 |
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