| CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
| |
| 引用本文： | 周士芸,谢泉,闫万珺,陈茜.CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].中国科学(G辑),2009,39(2):175-180. |
| |
| 作者姓名： | 周士芸 谢泉 闫万珺 陈茜 |
| |
| 作者单位： | ① 贵州大学理学院电子科学系, 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵阳 550025;
② 贵州安顺学院物理系, 安顺 561000 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 60566001, 60766002)、教育部博士点专项科研基金(编号: 20050657003), 贵州省优秀科技教育人才省长专项基金、教育部留学回国科研基金(编号: 教外司(2005)383), 贵州省教育厅重点基金(编号: 05JJ002), 贵州省留学人员科技项目(编号: 黔人项目(2004)03)和省委组织部高层次人才科研资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法，对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算，能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体，禁带宽度为0．353eV；其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定；同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等．经比较，计算结果与已有的实验数据符合较好．
|
| 关 键 词： | CrSi2 电子结构 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2008-03-14 |
| 修稿时间： | 2008-06-19 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《中国科学(G辑)》下载免费的PDF全文 |
|
