| 真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能 |
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| 引用本文： | 王元玮,田跃.真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能[J].北京科技大学学报,1997,19(6):585-589. |
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| 作者姓名： | 王元玮 田跃 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院!北京，100083，北京科技大学应用科学学院，北京科技大学材料科学与工程学院!北京，100083，北京科技大学应用科学学院 |
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| 摘 要： | 利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高
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| 关 键 词： | 真空重结晶 薄膜 制备 锑化铟 组织 半导体 |
Improving Structure and Electrical Properties of InSb Films by Vacuum Recrystallization |
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| Wang Yuanwei.Improving Structure and Electrical Properties of InSb Films by Vacuum Recrystallization[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,1997,19(6):585-589. |
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| Authors: | Wang Yuanwei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vacuum recrystallization film forming InSb film |
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