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| 测量外延层中杂质分布及肖特基二极管自建势的二次微分法 | |
| 引用本文： | 谭长华,但森.测量外延层中杂质分布及肖特基二极管自建势的二次微分法[J].北京大学学报(自然科学版),1978(4). |
| 作者姓名： | 谭长华 但森 |
| 作者单位： | 北京大学电子仪器厂 (谭长华)，中国科学院电子所(但森) |
| 摘 要： | 一、简述 外延层中的杂质分布是现代半导体器件设计中的一个重要参数。在微波,高速、高反压等器件中,杂质分布的情况如何,将直接影响器件的有效工作。 六十年代,外延工艺的问世使器件性能有了一个很大的提高。外延工艺的进展对半导体材料的检验工作提出了越来越高的要求,大大地促进了外延分布的测试技术的进展。主要问题就是要解决测试的准确与快速。十多年来,为此而出现了大量的工具方法,至今仍不断出现新的工作。这些工具方法,大致可以归纳为以下几种: |
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