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热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性

引用本文：	丁永庆,彭瑞伍.热壁MOCVDHg0.8Cd0.2Te制备和特性[J].科技通讯(上海),1994(2):46-50.

作者姓名：	丁永庆彭瑞伍

摘要：
关键词：	HgCdTe 化合物半导体热壁MOCVD法
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