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| 高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长 | |
| 引用本文： | 刘宝林,王本忠.高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长[J].厦门大学学报(自然科学版),1997,36(4):540-544. |
| 作者姓名： | 刘宝林 王本忠 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系，集成光电子国家重点实验室，吉林大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂． |
| 关 键 词： | MOCVD，InGaAs，InP |
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