| 用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术 |
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| 引用本文： | 陈忠民,刘泽文,刘理天. 用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术[J]. 清华大学学报(自然科学版), 2005, 45(4): 561-564 |
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| 作者姓名： | 陈忠民 刘泽文 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084;清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家 "九七三" 重点基础研究项目(G1999033105) |
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| 摘 要： | ![]()
为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗.通过采用Serenade SV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗.结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗.实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题.测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌.制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5 nH的Cu平面电感,在2.4 GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6.
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| 关 键 词： | 氧化多孔硅技术 电感 多孔硅 射频器件 损耗 |
| 文章编号： | 1000-0054(2005)04-0561-04 |
| 修稿时间： | 2004-03-12 |
OPS insulating techniques for RF passive devices |
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| Chen Zhongmin,LIU Zewen,Liu Litian. OPS insulating techniques for RF passive devices[J]. Journal of Tsinghua University(Science and Technology), 2005, 45(4): 561-564 |
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| Authors: | Chen Zhongmin LIU Zewen Liu Litian |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | OPS(oxidized porous Silicon) inductor PS (porous Silicon) RF (radio frequency) loss |
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