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| a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究 | |
| 引用本文： | 宋学文,陆大荣,宗福建.a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究[J].山东大学学报(理学版),1989(1). |
| 作者姓名： | 宋学文 陆大荣 宗福建 |
| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系 |
| 摘 要： | 本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。 |
| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 钝化处理 钝化作用机理 |
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