| MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层 |
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| 引用本文： | 成步文,王文勋.MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层[J].北京师范大学学报(自然科学版),1992,28(4):461-466. |
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| 作者姓名： | 成步文 王文勋 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学分析测试中心 100875 北京新外大街 |
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| 摘 要： | 用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.
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| 关 键 词： | 离子注入 双导电层 砷化镓 硅 |
ISOLATED DOUBLE CONDUCTING LAYERS FORMED BY MeV Si,O IMPLANTATION IN SI-GaAs |
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| Cheng Buwen.ISOLATED DOUBLE CONDUCTING LAYERS FORMED BY MeV Si,O IMPLANTATION IN SI-GaAs[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1992,28(4):461-466. |
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| Authors: | Cheng Buwen |
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| Institution: | Cheng Buwen~ |
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| Keywords: | MeV ion implantation GaAs double conducting layers |
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