| 具有N^＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性 |
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| 引用本文： | 魏东平,周均铭.具有N^＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性[J].北京师范大学学报(自然科学版),1992,28(4):467-471. |
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| 作者姓名： | 魏东平 周均铭 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，中国科学院物理研究所 100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100875 北京新外大街，100080 北京中关村 |
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| 摘 要： | 在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N~+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N~+i-p型结构的特点及HBT外基区表面漏电的产生机理.
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| 关 键 词： | HBT 发射结 铝镓砷 砷化镓 |
THE RECOMBINATION EFFECT OF AlGaAs/GaAs HBT WITH A N~+-i P TYPE EMITTER-BASE JUNCTION |
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| Wei Dongping.THE RECOMBINATION EFFECT OF AlGaAs/GaAs HBT WITH A N~+-i P TYPE EMITTER-BASE JUNCTION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1992,28(4):467-471. |
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| Authors: | Wei Dongping |
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| Institution: | Wei Dongping~ |
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| Keywords: | HBT recombination current current gain |
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