| 体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法 |
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| 引用本文： | 张涵,李伟华.体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法[J].东南大学学报(自然科学版),2010,40(4). |
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| 作者姓名： | 张涵 李伟华 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子机械系统教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目 |
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| 摘 要： | 从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃ 30%(质量分数)的KOH腐蚀液条件下的特征晶面(111)、(311)以及与衬底同簇的(110)晶面与衬底相交,得到平面特征晶向,从而构建补偿图形的拓扑框架,最终选择拓扑框架中的部分晶向构成具体的补偿图形.利用各向异性三维仿真软件对由该方法设计得到的补偿结果进行验证,模拟结果与设计预期相一致,充分证实了该设计方法的正确可行.
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| 关 键 词： | (110)衬底 凸角补偿 拓扑结构 通用方法 |
Compensation method for convex corners on (100) substrate in bulk silicon wet etching process |
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| Zhang Han,Li Weihua.Compensation method for convex corners on (100) substrate in bulk silicon wet etching process[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2010,40(4). |
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| Authors: | Zhang Han Li Weihua |
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