| 单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真 |
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| 引用本文： | 郭晓光,郭东明,康仁科,金洙吉.单晶硅纳米级压痕过程分子动力学仿真[J].大连理工大学学报,2008,48(2):205-209. |
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| 作者姓名： | 郭晓光 郭东明 康仁科 金洙吉 |
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| 作者单位： | 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对内部无缺陷的单晶硅纳米级压痕过程进行了分子动力学仿真,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级压痕过程的瞬间原子位置、作用力和势能等变化,解释了压痕过程.研究表明:磨粒逐渐向单晶硅片的逼进和压入,使得磨粒下方的硅晶格在磨粒的作用下发生了剪切挤压变形,磨粒作用产生的能量以晶格应变能的形式贮存在单晶硅的晶格中(即硅原子间势能),因此硅原子间势能随着力的增加而不断增加,当超过一定值且不足以形成位错时,硅的原子键就会断裂,形成非晶层,堆积在金刚石磨粒的下方.当磨粒逐渐离开单晶硅片时,非晶层原子进行重构,释放部分能量,从而达到新的平衡状态.
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| 关 键 词： | 压痕过程 分子动力学仿真 单晶硅 单晶硅片 纳米级 压痕 过程 分子 力学仿真 indentation silicon monocrystal dynamics simulation 平衡状态 金刚石磨粒 非晶层 断裂 子键 定值 硅原子 存在 应变能 能量 |
| 文章编号： | 1000-8608(2008)02-0205-05 |
| 修稿时间： | 2006年1月15日 |
Molecular dynamics simulation in monocrystal silicon indentation |
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| GUO Xiaoguang GUO Dongming KANG Renke JIN Zhuji.Molecular dynamics simulation in monocrystal silicon indentation[J].Journal of Dalian University of Technology,2008,48(2):205-209. |
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| Authors: | GUO Xiaoguang GUO Dongming KANG Renke JIN Zhuji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indentation molecular dynamics simulation monocrystal silicon |
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