| Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 |
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| 作者姓名： | 陈茜 谢泉 闫万珺 杨创华 赵凤娟 |
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| 作者单位： | 贵州大学新型光电子材料与技术研究所, 贵州大学电子科学与信息技术学院, 贵阳 550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：60566001）、贵州市科学技术局大学生创业科技项目（稿号：6-5）和贵州省研究生创新基金（编号：省研理工2007003）资助项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质．计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0．2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s，3p态电子构成，导带主要由Mg的3s，3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数ε1（0）=18．89；折射率n0=4．3460；吸收系数最大峰值为356474．5cm^-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据．
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| 关 键 词： | Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2007-06-21 |
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