| Ti／莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究 |
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| 引用本文： | 岳瑞峰,王佑祥.Ti／莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J].西安交通大学学报,1998,32(4):9-12,31. |
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| 作者姓名： | 岳瑞峰 王佑祥 |
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| 作者单位： | [1]西安交通大学 [2]中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室资助项目 |
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| 摘 要： | 在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ），研究了从２００￣８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应，并用热力学解释了实验结果。结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ｔｉ与衬底表现的氧形成Ｔｉ－Ｏ键，界面区很窄，４５０℃退火１ｈ后，有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；６５０℃退火１ｈ后，界
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| 关 键 词： | 封装 钛膜 莫来石陶瓷 界面 俄歇电子能谱 |
Auger Electron Spectroscopy Study of Ti/Mullite Interfacial Reaction |
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| Yue Ruifeng.Auger Electron Spectroscopy Study of Ti/Mullite Interfacial Reaction[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,1998,32(4):9-12,31. |
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| Authors: | Yue Ruifeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solid solid interfaces solid phase reaction annealing elemental analysis |
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