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| GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应 | |
| 作者姓名： | 鲁明亮 马丽娟 陶永春 |
| 作者单位： | 1. 南京高等职业技术学校轨道交通学院;2. 南京师范大学物理科学与技术学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（1187040632）； |
| 摘 要： | 利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合，推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵，以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式．计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量的变化，得到TMR与两层FS磁化方向夹角(θ)的关系．研究发现透射系数随着入射能量递增出现明显震荡，相对于非磁性半导体，轻空穴和重空穴透射系数的差值减小；与单势垒隧道结不同，双势垒隧道结中TMR和sin2(θ/2)之间呈现出非线性关系．其结果对磁性半导体隧道结的研究具有一定的参考价值． |
| 关 键 词： | 铁磁性半导体 隧道结 磁致电阻 |