| Ge50Sn50有序合金压力下电子性质的计算机模拟 |
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| 引用本文： | 吕梦雅,陈洲文,刘日平.Ge50Sn50有序合金压力下电子性质的计算机模拟[J].燕山大学学报,2007,31(3):198-200. |
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| 作者姓名： | 吕梦雅 陈洲文 刘日平 |
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| 作者单位： | 1. 燕山大学,亚稳材料科学与技术国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004;燕山大学,信息科学与工程学院,河北,秦皇岛,066004
2. 燕山大学,亚稳材料科学与技术国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004 |
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| 摘 要： | 使用第一性原理和赝势方法研究了Ge50Sn50有序合金直到9GPa压力下的能带结构和带隙的压力依赖性。发现该合金的直接带隙随着压力的增大几乎是线性增加，在4．7GPa时达到最大值0．72eV：在该压力下发生直接带隙至间接带隙的转变，其导带在4．7GPa～8GPa时与Ge类似，在高于6．8GPa压力时与Si类似。同时还研究了自旋轨道耦合作用对合金能带结构的影响。
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| 关 键 词： | 第一性原理 Ge50Sn50有序合金 压力系数 带隙 |
| 文章编号： | 1007-791X（2007）03-0198-03 |
| 修稿时间： | 2005-09-20 |
Computer simulation of electronic properties for Ge50Sns0 ordered alloy under pressure |
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| L Meng-ya,CHEN Zhou-wen,LIU Ri-ping.Computer simulation of electronic properties for Ge50Sns0 ordered alloy under pressure[J].Journal of Yanshan University,2007,31(3):198-200. |
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| Authors: | L Meng-ya CHEN Zhou-wen LIU Ri-ping |
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| Institution: | 1. State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China; 2. College of Information Science and Engineering, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | first-principles Ge50Sn50 ordered alloy pressure coefficient band-gap |
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